IXFH 26N60P IXFT 26N60P
IXFV 26N60P IXFV 26N60PS
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.2
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
24
V GS = 10V
7V
2.8
V GS = 10V
20
2.4
16
12
8
4
0
6V
5V
2
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 26A
I D = 13A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.4
V GS = 10V
T J = 125 o C
27
24
21
18
2
1.6
15
12
9
1.2
0.8
T J = 25 o C
6
3
0
0
10
20
30
40
50
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
50
45
I D - Amperes
Fig. 7. Input Adm ittance
50
45
T C - Degrees Centigrade
Fig. 8. Transconductance
40
35
30
25
40
35
30
25
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
20
15
10
5
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
20
15
10
5
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V G S - Volts
? 2006 IXYS All rights reserved
I D - Amperes
相关PDF资料
IXFT26N60Q MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
IXFT30N60P MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
IXFT320N10T2 MOSFET N-CH 100F 320A TO-268
IXFT32N50Q MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
IXFT32N50 MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
IXFT340N075T2 MOSFET N-CH 75V 340A TO268
IXFT400N075T2 MOSFET N-CH 75V 400A TO-268
IXFT40N30Q MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
相关代理商/技术参数
IXFT26N60Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 600V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT28N50F 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT28N50Q 功能描述:MOSFET 28 Amps 500V 0.20W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT30N40Q 功能描述:MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT30N50 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT30N50P 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT30N50Q 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT30N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube